"

拥有全球最顶尖的原生APP,每天为您提供千场精彩体育赛事,m6.com米乐-米乐m6更有真人、彩票、电子老虎机、真人电子竞技游戏等多种娱乐方式选择,m6.com米乐-米乐m6让您尽享娱乐、赛事投注等,且无后顾之忧!

<noframes id="ldxdz">

<noframes id="ldxdz"><form id="ldxdz"><nobr id="ldxdz"></nobr></form>
    <form id="ldxdz"></form>
    <address id="ldxdz"></address>
    <address id="ldxdz"></address>

      <address id="ldxdz"></address>
      <address id="ldxdz"></address>

      "

      加入收藏    设为首页
      热销产品
      > IGBT散热 > 文章正文

      3相变频器的损耗和温度上升

      在诸如PWM控制等发生复杂损耗的情况下,计算IGBT和FWD的损耗较困难。建议使用带有演算功能的DSO(数字存储示波器)等对实际工作的电路进行测量。(例如:Tektronix的产品中备有动力解析软件TDSPWR3)选择散热器时需要知道大概的损耗,在此举例介绍一下计算损耗的方法。
      范例
      PTMB75B12C, 变频器输出电流 (IOP) 75A, 控制率 (m) 1, 开关频率 (f) 15kHz, 功率因数cosφ 0.85。
      变频器拓扑
      在此重新说明一次,IGBT的损耗为通态损耗Psat、开通损耗PON、关断损耗POFF之和,而FWD的损耗为通态损耗PF、反向恢复损耗PRR 之和。 
      各个IGBT、FWD的损耗
      由于 IOP=75A, VCE(sat) =2.2V (125℃), m=1, cosφ=0.85,Psat=35.5(W)
      通态损耗PF
      VF在75A、125℃条件下的 FWD 正向电压为1.8V。PF=4.7W
      从图表上可以获知,75A时1脉冲单位的开通、关断、反向恢复能量分别为7.5mJ、7mJ、6mJ。与频率(15kHz)、还有1/π*1相乘后,即可得出平均损耗。
      EON=35.8(W)、EOFF=33.4(W)、ERR=28.6(W)
      单个IGBT、FWD的损耗:
      单个IGBT的                          单个FWD的
      平均损耗范例                       平均损耗范例
      104.7W                                 33.3W
      (Psat+PON+POFF)            (PF+PRR)
      各个IGBT、FWD的损耗:模块整体的损耗828W
      各个IGBT、FWD的损耗
      各个IGBT、FWD的温度上升:
      IGBT:Rth(j-c)=0.3℃/W,ΔT(j-c)=31.4℃
      FWD:Rth(j-c)=0.6℃/W,ΔT(j-c)=20.0℃
      各个IGBT、FWD的温度上升
      相对于外壳温度的过渡结温上升:
      上一页所计算的温度上升是平均或稳态的数值。根据需要,可以使用过渡热阻计算温度上升的最高值。
      过渡热阻计算温度上升的最高值
      rth(t)是时间t的过渡热阻
      过渡热阻
      对于内置有多个IGBT的模块,选取损耗最大(温度上升最高)的IGBT,另加上上述的温度脉动部分。

        验证码: 点击我更换图片
           上海菱端电子科技有限公司:
           联系人:夏小姐
           服务热线:021-58979561
           业务咨询qq:447495955
           业务咨询qq:1852433657
           业务咨询qq:513845646
           技术支持qq:313548578
           技术交流群:376450741
           业务咨询:  点这里给我发消息
           业务咨询:  点这里给我发消息
           业务咨询:  点这里给我发消息
           技术支持:  点这里给我发消息
           媒体合作:  点这里给我发消息

        m6.com米乐-米乐m6